Оперативная память
Оперативная память G.Skill Ripjaws 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-16GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
Apacer 32ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц AS32GGB32CSBBGC
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Apacer 8ГБ DDR5 4800 МГц AU08GHB48CTDBGH
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
G.Skill Ripjaws S5 2x16ГБ DDR5 6600МГц F5-6600J3440G16GX2-RS5K
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В..
G.Skill Ripjaws S5 2x32ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J2834F32GX2-RS5W
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В..
G.Skill Trident Z5 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3040F16GX2-TZ5S
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В..
G.Skill Trident Z5 Neo 2x16ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J3036D16GX2-TZ5N
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В..
G.Skill Trident Z5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J3036D16GX2-TZ5NR
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В..
G.Skill Trident Z5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3238F16GX2-TZ5NR
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В..
G.Skill Trident Z5 RGB 2x32ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J2834F32GX2-TZ5RS
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В..
Оперативная память A-Data 32ГБ DDR5 4800 МГц AD5U480032G-S
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память A-Data Premier 4GB DDR4 PC4-21300 AD4U26664G19-BGN
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Acer UD100 16ГБ DDR4 3200 МГц BL.9BWWA.228
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Acer UD100 4GB DDR4 PC4-21300 BL.9BWWA.219
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
Оперативная память AMD 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (R534G1601S1SL-UO)
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В..
Оперативная память AMD 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R744G2400S1S-UO]
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В..
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment 4GB DDR3 PC3-12800 R534G1601U1SL-U
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В..
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment 4GB DDR3 PC3-12800 R534G1601U1SL-UO
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В..
Оперативная память AMD Radeon R7 Performance 4GB DDR4 PC4-21300 R744G2606U1S-U
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В..
Оперативная память AMD Radeon R7 Performance 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 R744G2606S1S-U
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В..