Оперативная память

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-36, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..