Оперативная память

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.4 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В..

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В..

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46, напряжение 1.4 В..

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В..

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В..

частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

частота 1600 МГц..

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..