AGI

256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1936/1217 MBps..

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND..

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2200/1300 МБайт/с..

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с..

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, DRAM-буфер..

SSD, USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с), металл, цвет черный..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND..

256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND..

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND..

512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND..

512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с..

16 ГБ, класс 10, UHS-I (класс U1), чтение: 55 МБ/с, запись: 20 МБ/с, адаптер..

32 ГБ, класс 10, UHS-I (класс U1), чтение: 90 МБ/с, запись: 30 МБ/с, адаптер..

64 ГБ, класс 10, UHS-I (класс U1), чтение: 90 МБ/с, запись: 30 МБ/с, адаптер..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..

500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND..