GeIL

1 ТБ, mSATA, mSATA, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с..

2 ТБ, mSATA, mSATA, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с..

512 ГБ, mSATA, mSATA, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с..

1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с..

256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с..

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с..

500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с..

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В..

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-24-24-44, напряжение 1.4 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4266 МГц, CL 18T, тайминги 18-24-24-44, напряжение 1.45 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 38T, тайминги 38-44-44-89, напряжение 1.25 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 42T, тайминги 42-48-48-96, напряжение 1.35 В..

256 ГБ, mSATA, mSATA, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с..

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с..