G.Skill
Оперативная память G.Skill Ripjaws 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-16GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
Оперативная память G.Skill Ripjaws 32ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц F4-3200C22S-32GRS
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
Оперативная память G.Skill Ripjaws 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-8GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-16GISB
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 2x16GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16D-32GISB
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16D-16GISB
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GIS
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-8GISB
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-8GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J3636C16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.2 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3036F16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-96, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3648D16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-96, напряжение 1.25 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3038F16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3238F16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3636F16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.35 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3239G16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3240G16GX2-FX5W
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-102, напряжение 1.4 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x32ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J3636D32GX2-FX5
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.25 В..
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x32ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3040G32GX2-FX5
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В..