KingSpec

256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 MBps..

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1900 МБайт/с..

512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..

1 ТБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps..

256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 МБайт/с..

512 ГБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/450 MBps..

128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps..

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND..

512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps..

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/500 MBps..

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/520 MBps..

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..

1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND..